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中科院微电子研究所在 a-IGZO 晶体管领域取得重要进展,有助提升芯片集成密度

时间:2023-01-14 03:36来源: 作者:admin 点击: 105 次
近日,中科院微电子钻研所正在非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)晶体管规模得到重要停顿。据悉,a-IGZO 被视为真现高密度三维集成的最佳候选沟道资料之一。三维集成技术的素量是为进步晶体管正在芯片上的集成密度。果此,应付兼容后道工艺的 a-IGZO 晶体管来说,摸索其尺寸的极限微缩是真现高密度三维集成的

(责任编辑:)

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